Графен, фосфорен, силицен, станен, …на страницах сайта www.electrosad.ru | ||
Давно известно, что материалы имеют
существенно отличающиеся физические свойства в
зависимости от чистоты, структуры.
Недавно появилось сообщение о том что IBM отрапортовала о новых достижениях в разработке технологий производства микрочипов на основе графена. Учёным удалось создать самую прогрессивную в мире полнофункциональную интегральную схему с применением этой двумерной аллотропной модификации углерода. Графен представляет собой слой атомов углерода толщиной в один атом, соединённых в гексагональную сотоподобную кристаллическую решётку. Эта двумерная форма углерода обладает уникальными электрическими, оптическими, механическими и тепловыми свойствами. «Ключевое преимущество графена в очень высоких скоростях распространения электронов в этом материале, что является важнейшим условием для создания быстродействующих высокопроизводительных транзисторов следующего поколения», — говорят в IBM. Электронные цепи, выполненные на основе графена, обеспечат более высокую скорость передачи данных при меньшем по сравнению с кремниевыми изделиями энергопотреблении. Так, созданная в IBM экспериментальная графеновая схема для беспроводных приёмопередатчиков потребляет всего 20 мВт мощности в рабочем режиме. В ходе тестирования удалось успешно принять и восстановить сообщение «I-B-M» на частоте 4,3 ГГц без каких-либо искажений. Более того, экспериментальная схема показывает в 10 000 раз более высокое быстродействие, нежели все предыдущие разработки.
Открытый десять лет назад графен, несмотря на несколько выдающихся качеств, несёт в себе и врождённые ограничения — такие, например, как отсутствие запрещённой зоны, обязательной для полупроводников. Именно поэтому Пэйдэ Е (Peide Ye) и его коллеги из Университета Пердью (США) попробовали выделить аналог графена из чёрного фосфора — многослойной структуры, про которую сам г-н Пэйдэ так и говорит: «Посмотрев на его свойства в Википедии, уже через полчаса я понял, что у него есть потенциал». Потенциал для того, чтобы стать сырьём для получения одноатомных пластин фосфора.
![]()
Структура у
нового материала не плоская, поскольку каждый его слой
представляет собой «гофрированную» пластинку из атомов фосфора.
«Технология» получения фосфорена пока ничем не отличается от того, что было явлено г-ми Геймом и Новосёловым в первые дни графена: липкая лента и чёрный фосфор, от которого этой лентой отрываются всё более тонкие слои. Кустарщина, конечно, но для изучения базисных свойств большего и не нужно. Что же удалось выяснить? Материаловеды создали простейший транзистор из фосфора и взглянули на его свойства как полупроводника. Оказалось, что он имеет запрещённую зону, как все полупроводники - это одно из его преимуществ перед графеном. В теории материалы, сходные с графеном (тонкие одноатомные слои), с кремнием уже применялись, породив силицен. Хотя последний — полупроводник, тем не менее его особенности, в том числе врождённая тяга к самоуничтожению, исключают создание на его основе работающих транзисторов. Станен — столь же перспективный (как и графен) материал на основе олова — пока, к сожалению, трудно получить в виде пластин, отчего его свойства всё ещё известны больше по теоретическим симуляциям, нежели по натурным исследованиям. Похоже, фосфорен — пока единственный естественный двумерный полупроводник р-типа, который есть в загашнике у материаловедов. И всё же говорить о тождественности топологии графена и фосфорена в том, что касается их полной двумерности, пока стоит с большой осторожностью. Фосфор имеет три ковалентные связи, а не четыре, как углерод, а потому его поверхность сильно «вспучена», будучи не такой плоской, как у графена. В то же время это придаёт ему дополнительные возможности, связанные с наличием запрещённой зоны. Поэтому на практике сильные стороны этого материала являются порождением его неполной двумерности. По итогам экспериментов, модулирование тока на стоке у опытного фосфоренового транзистора, размещённого на подложке из оксида кремния, на четыре порядка лучше, чем у графена, и максимальный уровень модуляции для фосфорена всё ещё не достигнут, подчёркивают учёные. Ограничением пока служит подложка из этого самого оксида кремния.
![]()
Из фосфорена
уже созданы предельно простые транзисторы, причём успешно
работающие.
Что у него с подвижностью электронов? Она зависит от толщины слоя фосфорена, которая на практике пока колеблется. Для дырок она достигает 1 000 см²/В•с (для фрагмента фосфорена толщиной 10 нм). Особо подчёркивается, что с помощью двумерных полупроводников р-типа, представленных фосфореном, можно получить «напарников» для двумерных полупроводников n-типа, вроде дисульфида молибдена. И американская группа уже создала CIMOS-инвертор, где фосфорен функционирует в PMOS-, а дисульфид молибдена — в NMOS-структурах. Как считают учёные, работоспособность такого сочетания означает, что сразу после создания технологий массового производства материалов на основе фосфорена он может быть использован в электронике современного типа, значительно улучшая её характеристики без необходимости в применении транзисторов нетривиальных схем, как это имеет место с графеном.
Стэнфордский университет (США) в лице Шоучэн Чжана (Shoucheng Zhang) и его коллег из других стран и вузов показал, что двумерное олово способно стать очередным чудо материалом.
![]()
Добавляя атомы фтора (жёлтые) к одноатомному слою
олова (серый), исследователи надеются получить станен, способный
идеально проводить электричество точно вдоль своих краёв (синие и красные стрелки) при температурах вплоть до 100 °С.
Нет, правда, слой олова одноатомной толщины, похоже, и впрямь обладает выдающимися качествами. Сами разработчики наказывают его «станен» — от латинского stannum, что значит «олово», и, понятное дело, с прибавлением «графенового» суффикса.
Всё последнее десятилетие г-н Чжан и его группа изучали свойства
того класса материалов, что откликается на название «топологические
изоляторы» (ТИ). Они электропроводны только на своих внешних
краях, во всём остальном оставаясь диэлектриками. В итоге, когда их
производят из одноатомного слоя какого-нибудь материала, края таких
изоляторов проводят ток со стопроцентной эффективностью, причём при
комнатной температуре.
Исследуя структуры ТИ, та же научная группа предсказала в 2006-2009
гг., что ряд соединений, таких как теллурид ртути и некоторые
другие, будет обладать подобными свойствами, и последующие
эксперименты других учёных подтвердили это.
В первую очередь станен послужит для соединения множества секций
микропроцессора, полагает г-н Чжан. Сегодня это осуществляется с
помощью обычных проводников, создающих «пробки» из электронов, что
увеличивает энергопотребление и тепловыделение процессоров.
Фосфорен не единственный аналог графена, состоящий из одного сорта атомов. Ранее удалось получить одноатомные слои кремния — силицен — и германия — германен. Оба эти материала обладают более высокой электропроводностью, чем фосфорен, но так же, как и графен, не имеют запрещённой зоны. Теоретически, более интересным кандидатом является станен — одноатомный слой олова, обладающий и высокой подвижностью электронов, и запрещённой зоной, но предсказанный только в 2013 год и пока никем не полученный. Общей проблемой всех обсуждаемых материалов является их нестабильность и совместимость с другими материалами. На воздухе они начинают активно окисляться и быстро разрушаются. Специальные уловки, которыми удалось стабилизировать силицен в 2012 году, все равно пока не позволяют использовать этот материал в реальных устройствах. Фосфорен должен быть более стабильным, чем его конкуренты, но его производство сложнее: для получения чёрной модификации фосфор высокой чистоты требуется помещать под огромные давления. А получение Фосфорена в тонких пленках из исходного вещества по технологиям электронной промышленности требует продолжительной работы. Как говорится «без труда не вынешь рыбку из пруда». Собрал А.Сорокин февраль 2014 Ссылки:
| ||
Попасть прямо в разделы сайта можно здесь:
/Неизвестный
процессор/Охлаждение ПК/Электроника для ПК/Linux/Проекты, идеи/Полезные советы/Разное/
При полном или частичном использовании материалов ссылка на "www.electrosad.ru" обязательна. | ||
Copyright © Sorokin A.D. |
|
2002 - 2020 |